7月19日消息，據(jù)媒體報道，三星電子的HBM3E內存終于成功通過NVIDIA的認證測試，預計從下個季度開始向NVIDIA供貨。
此前，三星電子為了集中力量發(fā)展HBM技術，已對其半導體業(yè)務線進行了多次調整，包括成立專門的HBM小組和改組DS（設備解決方案）部門等，誓要拿下NVIDIA這個大客戶。
業(yè)界預期，三星電子將在7月31日的財務報告會議上宣布這一消息，三星電子的HBM3E內存技術采用自家的4nm制程工藝制造邏輯芯片，目前該工藝的良品率已超過70%。
此外，三星電子的HBM3E內存技術通過NVIDIA認證，不僅有助于公司重新奪回HBM技術和市場份額，還可能對DRAM市場供應產(chǎn)生影響。
據(jù)估計，三星電子可能會從其DRAM產(chǎn)能中調撥約30%專項生產(chǎn)HBM，這將削減約13%的全球DRAM供應量，進一步推高DRAM價格。
業(yè)界普遍認為，隨著NVIDIA下一代Blackwell架構的預期需求，HBM內存的需求量將大幅增加，三星電子有望成為NVIDIA的重要供應商。
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