亚洲乱码国产乱码精品精,成人影院点击即入爽不停,大黑鸡巴破处血淋淋视频,被男人屌逼视频

光刻機(jī)研制為什么難!

2024-12-20 08:50:06 243觀看

12月20日消息,光刻機(jī)作為重大技術(shù)裝備領(lǐng)域的國(guó)之重器,不僅是衡量一個(gè)國(guó)家綜合國(guó)力與科技水平的關(guān)鍵指標(biāo),還直接關(guān)系到國(guó)家安全和科技自主可控的未來(lái)。然而,其研制之路卻異常艱難,充滿了重重挑戰(zhàn)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

近期,工業(yè)和信息化部發(fā)布的《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》中,特別將氟化氪光刻機(jī)與氟化氬光刻機(jī)列入了電子專(zhuān)用設(shè)備的重要位置,這一舉措不僅體現(xiàn)了中國(guó)在光刻機(jī)自主研發(fā)領(lǐng)域取得的重大進(jìn)展,更引發(fā)了公眾對(duì)光刻機(jī)研制難度和挑戰(zhàn)的關(guān)注。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

光刻機(jī)的工作原理和歷史演進(jìn)S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

當(dāng)今社會(huì)生活中,集成電路幾乎無(wú)處不在,小到身份證、手機(jī),大到高鐵、飛機(jī),都離不開(kāi)集成電路。集成電路自誕生至今,一直向著微細(xì)化的方向發(fā)展,單個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量已經(jīng)由初的幾十個(gè)發(fā)展到現(xiàn)在的幾千億個(gè)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

集成電路制造的核心工序是利用光刻機(jī)在硅片上構(gòu)建電路圖案。光刻過(guò)程決定了集成電路芯片上電子元件的尺寸和位置。從1961年至今,為了滿足集成電路制造的需求,人們研發(fā)出了多種類(lèi)型的光刻機(jī)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

按照曝光方式來(lái)分,光刻機(jī)可以分為接觸式、接近式和投影式。接觸式和接近式光刻機(jī)的極限分辨率均停留在微米量級(jí),難以滿足日益減小的芯片特征尺寸的需求。投影式光刻機(jī)是目前的主流光刻機(jī),當(dāng)今先進(jìn)的極紫外(EUV)光刻機(jī)就屬于投影式光刻機(jī)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

投影式光刻機(jī)由多個(gè)分系統(tǒng)組成,包括光源、照明系統(tǒng)、投影物鏡系統(tǒng)、掩模臺(tái)與掩模傳輸系統(tǒng)、工件臺(tái)與硅片傳輸系統(tǒng)、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)、環(huán)境控制系統(tǒng)等。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

這類(lèi)光刻機(jī)本質(zhì)上是一種復(fù)雜的投影系統(tǒng):光源通過(guò)照明系統(tǒng)均勻照明放置在掩模臺(tái)上的掩模版,掩模版上制作有預(yù)先設(shè)計(jì)好的集成電路圖案,該圖案通過(guò)投影物鏡系統(tǒng)投影到工件臺(tái)上涂有光刻膠的硅片,完成一次曝光。之后,工件臺(tái)移動(dòng)硅片,再進(jìn)行另一次曝光。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

提高光刻分辨率是光刻機(jī)演進(jìn)的主線,極大地推動(dòng)了集成電路制程節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步。研究人員通過(guò)采用更短波長(zhǎng)的光源來(lái)提高投影式光刻機(jī)的分辨率,依次發(fā)展出了紫外(UV)光刻機(jī)、深紫外(DUV)光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

UV光刻機(jī)早采用波長(zhǎng)為436nm的高壓汞燈光源,隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,光源波長(zhǎng)縮短至365nm,可以支持250nm以上制程節(jié)點(diǎn)的芯片生產(chǎn)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

之后,光刻技術(shù)開(kāi)始向DUV波段光源發(fā)展:1995年,日本Nikon公司首次采用了248nm波長(zhǎng)的氟化氪(KrF)準(zhǔn)分子激光器作為光刻機(jī)光源,該類(lèi)光刻機(jī)將制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到180—130nm;到了1999年,Nikon、ASML和Canon等主要光刻設(shè)備制造商推出了采用193nm波長(zhǎng)的氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光器作為光源的光刻機(jī),這使得制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)一步縮小至130—65nm。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

在193nm光源作為主流光刻機(jī)光源的很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi),各光刻設(shè)備制造商主要通過(guò)增大投影物鏡的數(shù)值孔徑(NA)來(lái)提高光刻分辨率,NA高達(dá)到了0.93。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

直到2004年,ASML推出了首款商用浸沒(méi)式光刻機(jī),該光刻機(jī)的技術(shù)創(chuàng)新是在鏡頭與硅片之間引入去離子水作為介質(zhì),使得投影物鏡的NA高達(dá)到1.35,再結(jié)合多重圖形等技術(shù)可實(shí)現(xiàn)7nm的制程節(jié)點(diǎn)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

為了進(jìn)一步減小光源波長(zhǎng),提高光刻分辨率,經(jīng)過(guò)30年左右的研發(fā),光源波長(zhǎng)為13.5nm的EUV光刻機(jī)終于在2017年投入工業(yè)化生產(chǎn),標(biāo)志著光刻技術(shù)的又一重大突破。目前,僅有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī),該類(lèi)光刻機(jī)高能夠支持2nm的制程節(jié)點(diǎn)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

光刻技術(shù)研發(fā)的難點(diǎn)與挑戰(zhàn)S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

光刻機(jī),被譽(yù)為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上的“皇冠上的明珠”,是人類(lèi)迄今為止所能制造的精密裝備之一,其研發(fā)過(guò)程不僅技術(shù)難度極高,還面臨著多方面的挑戰(zhàn)。技術(shù)方面,光刻機(jī)涉及光學(xué)、材料科學(xué)、機(jī)械工程等多領(lǐng)域尖端科技,需跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

合作方面,因技術(shù)復(fù)雜,需多領(lǐng)域科研機(jī)構(gòu)與企業(yè)緊密合作,共同解決難題,并建立有效溝通協(xié)作機(jī)制。資金方面,從研發(fā)到生產(chǎn),光刻機(jī)項(xiàng)目需長(zhǎng)期巨額投入。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

以EUV光刻機(jī)為例,從EUV光刻技術(shù)提出到正式投入工業(yè)化生產(chǎn),研究人員花費(fèi)了30年左右的時(shí)間。20世紀(jì)80年代人們開(kāi)始探索EUV光刻技術(shù),并在80年代末首次驗(yàn)證了這項(xiàng)技術(shù)的可行性。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

但由于高昂的經(jīng)濟(jì)以及時(shí)間成本,只有ASML與其合作伙伴繼續(xù)致力于開(kāi)發(fā)可用于工業(yè)化量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

2010年,ASML交付了第一臺(tái)EUV光刻機(jī)原型機(jī)。從2012年至2016年,ASML先后完成了對(duì)先進(jìn)光源制造商Cymer、電子束計(jì)量工具領(lǐng)先供應(yīng)商HMI等高科技企業(yè)的收購(gòu),并于2017年交付了第一臺(tái)可用于工業(yè)化量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)NXE:3400。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

目前,ASML持續(xù)與ZEISS、IMEC、Intel等多家先進(jìn)科技企業(yè)以及全球超過(guò)180所高校、科研機(jī)構(gòu)合作推進(jìn)光刻技術(shù)的發(fā)展。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

據(jù)2023年ASML的財(cái)務(wù)年報(bào),該公司在研發(fā)方面的投資從2022年的33億歐元增至2023年的40億歐元。在過(guò)去的17年中,該公司僅在EUV光刻方向的研發(fā)投資就超過(guò)了60億歐元。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

光源是光刻機(jī)的核心部件之一。光刻機(jī)對(duì)光源的工作波長(zhǎng)、功率、轉(zhuǎn)換效率以及壽命等參數(shù)均有著嚴(yán)格的要求。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

以目前唯一商用的EUV光刻機(jī)為例,該光刻機(jī)采用激光等離子體(LPP)光源,為了獲得高轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)壽命,需要在光源內(nèi)部進(jìn)行極其精確的激光打靶:液滴發(fā)生器產(chǎn)生直徑20—30μm的錫液滴,其運(yùn)動(dòng)速度可達(dá)到80m/s,相當(dāng)于復(fù)興號(hào)高鐵的速度;先利用一束預(yù)脈沖激光將高速運(yùn)動(dòng)的錫液滴打成餅狀的靶材。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

然后再利用另一束主脈沖激光轟擊靶材,將靶材轉(zhuǎn)化為等離子體的同時(shí)放射出EUV光,這一雙脈沖的打靶過(guò)程需要在百萬(wàn)分之幾秒內(nèi)完美地配合完成。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

因此,需要一套精準(zhǔn)的測(cè)量及控制系統(tǒng),能夠進(jìn)行高速、高精度的測(cè)量與打靶控制,方可滿足工業(yè)化量產(chǎn)的需求。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

光刻機(jī)的投影物鏡系統(tǒng)是成像光學(xué)的高境界,其波像差需要達(dá)到納米甚至亞納米量級(jí),這對(duì)投影物鏡的鏡片級(jí)加工與檢測(cè),以及系統(tǒng)級(jí)的檢測(cè)與裝調(diào)等都提出了嚴(yán)苛的要求。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

以EUV光刻機(jī)為例,為確保成像性能,投影物鏡的鏡面必須以極高的精度進(jìn)行加工:在ASML公司先進(jìn)的高NA EUV光刻投影物鏡系統(tǒng)中,口徑1.2m的反射鏡表面需要加工到面形均方根誤差小于0.02nm,相當(dāng)于在中國(guó)國(guó)土面積內(nèi)僅有人類(lèi)頭發(fā)絲直徑大小的高度起伏。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

光刻機(jī)的機(jī)械系統(tǒng)設(shè)計(jì)巧妙地融合了穩(wěn)定性與高效能的雙重需求。以EUV光刻機(jī)為例,工件臺(tái)的運(yùn)動(dòng)速度可達(dá)5m/s,并且工件臺(tái)和掩模臺(tái)需要高速同步運(yùn)動(dòng),同步運(yùn)動(dòng)誤差的平均值需要小于0.5nm,相當(dāng)于兩架以時(shí)速1000km飛行的飛機(jī),相對(duì)位置偏差的平均值控制在0.03μm(人類(lèi)頭發(fā)絲直徑的幾千分之一)以內(nèi)。工件臺(tái)還需具備驚人的加速度——達(dá)到7倍重力加速度(7g),這一性能確保了硅片能在極短時(shí)間內(nèi)迅速定位至預(yù)定位置。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

掩模版作為光刻系統(tǒng)圖像信息的來(lái)源,其制備過(guò)程中形成的臟污、刮傷、圖形異常等缺陷均會(huì)改變掩模的光學(xué)特性,從而影響成像質(zhì)量,降低芯片成品率。由于光刻掩模版制備要求高、工藝難度大且需要根據(jù)光刻技術(shù)的發(fā)展而更迭,長(zhǎng)期的技術(shù)積累與充足的研發(fā)資金均不可或缺。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

國(guó)際領(lǐng)先的掩模版制造商Toppan一直致力于掩模版業(yè)務(wù),其于2005年收購(gòu)了杜邦光掩模公司,并于同年開(kāi)始與IBM、格羅方德半導(dǎo)體、三星聯(lián)合開(kāi)發(fā)高端掩模版技術(shù),從初的45nm制程節(jié)點(diǎn)發(fā)展至目前的2nm制程節(jié)點(diǎn)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

涂覆于硅片上的光刻膠與電子器件的性能和良品率直接相關(guān),也是隨著光刻技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展的。在從DUV光刻向EUV光刻過(guò)渡的過(guò)程中,研究人員遇到了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),即在相同條件下,光刻膠吸收的EUV光子數(shù)量?jī)H為DUV193nm波長(zhǎng)的1/14。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

這就要求要么在EUV波段創(chuàng)造出極強(qiáng)的光源,要么發(fā)明更靈敏的光刻膠。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

考慮到進(jìn)一步提高EUV光源的功率極具挑戰(zhàn)性,為彌補(bǔ)光刻膠對(duì)EUV光子的低吸收率,EUV光刻膠需要具有不同于前幾代光刻膠的獨(dú)特性能。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

經(jīng)過(guò)JSR、Inpria、LamResearch等EUV光刻膠領(lǐng)先供應(yīng)商的多年持續(xù)研發(fā),實(shí)現(xiàn)了EUV光刻膠靈敏度與分辨率的突破,方使得EUV光刻在2018年進(jìn)入7nm及以下制程節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

光刻技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

目前,先進(jìn)的EUV光刻技術(shù)已被應(yīng)用于2nm制程節(jié)點(diǎn)的芯片量產(chǎn),并且仍在持續(xù)優(yōu)化中。為了不斷逼近EUV光刻技術(shù)的理論分辨率極限,并確保光刻機(jī)具備可靠的系統(tǒng)性能,還需要繼續(xù)深入研究如何有效管理提高光源功率所帶來(lái)的熱效應(yīng),同時(shí)開(kāi)發(fā)邊緣粗糙度更低且能保證特征尺寸精確控制與良好附著力的EUV光刻膠。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

此外,減少光源內(nèi)部的碎片污染以延長(zhǎng)收集鏡的使用壽命,以及降低曝光過(guò)程中污染物附著在掩模上的概率,也是當(dāng)前重要的研究課題。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

在EUV光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的同時(shí),許多研發(fā)機(jī)構(gòu)也在嘗試研發(fā)納米壓印以及定向自組裝(DSA)等成本相對(duì)較低的下一代光刻技術(shù)。針對(duì)這些新興的光刻技術(shù),需要重點(diǎn)研究新型材料的集成應(yīng)用、立體圖形化工藝的開(kāi)發(fā),以及以實(shí)際應(yīng)用需求為導(dǎo)向的圖形設(shè)計(jì)。S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

光刻機(jī)研制為什么難!S8H壹木網(wǎng)-日常常見(jiàn)問(wèn)題解答

本文鏈接:http://www.zh1234.com/news15013.html光刻機(jī)研制為什么難!

聲明:本網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容旨在傳播知識(shí),若有侵權(quán)等問(wèn)題請(qǐng)及時(shí)與本網(wǎng)聯(lián)系,我們將在第一時(shí)間刪除處理。郵件:2376512515@qq.com。天上從來(lái)不會(huì)掉餡餅,請(qǐng)大家時(shí)刻謹(jǐn)防詐騙
国产精品1区| 亚洲卡一卡二卡乱码新区| 天天做天天添无码区亚洲| 中文字幕日韩精品制服诱惑| 高潮18黄禁插| 国产成人精品一二三视频| 成av人一区二区三区久久| 欧美高跟鞋一区二区视频| 美拉德色系显黑还是显白| 欧美呦呦呦呦呦一区二区| 波多野吉衣AⅤ无码一区| 青娱乐日产视频| 快点插进来操我逼啊视频| 日韩一区二区三区高清电影| 后入少妇15p| 亚洲人成伊人成综合人网| 美女主播亚洲区欧美区麻豆| 58岁大姨操起来真舒服| 无人区在线影院免费高清| 五月天丁香花婷婷综合网| 6080yy精品视频国产| 亚洲 精品 欧美 日韩| 日韩一区二区三区不卡电影| 国产精品一区二区久久精品| 日本韩国精品一区二区三区| 国产wwwAV在线观看| 美女的逼被鸡巴操的视频| 亚洲色国产电影在线观看| 男女摸逼视频网| 扒开双腿进出奭爽动态图| 人妻中出精品久久久一区二| 色噜噜日韩精品一区一二区| 男人靠女人免费视频网站| h高潮娇喘抽搐喷水视频| 日逼视频出水了| 操插入好舒服好大好烫操| 在线观看黑丝美女被乱c| 久久久久久久久国久久久| 国产真人做爰免费的视频| 成人国内精品久久久久影| 三级三级久久三级久久18|