12月20日消息，光刻機(jī)作為重大技術(shù)裝備領(lǐng)域的國(guó)之重器，不僅是衡量一個(gè)國(guó)家綜合國(guó)力與科技水平的關(guān)鍵指標(biāo)，還直接關(guān)系到國(guó)家安全和科技自主可控的未來(lái)。然而，其研制之路卻異常艱難，充滿了重重挑戰(zhàn)。
近期，工業(yè)和信息化部發(fā)布的《首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024年版）》中，特別將氟化氪光刻機(jī)與氟化氬光刻機(jī)列入了電子專(zhuān)用設(shè)備的重要位置，這一舉措不僅體現(xiàn)了中國(guó)在光刻機(jī)自主研發(fā)領(lǐng)域取得的重大進(jìn)展，更引發(fā)了公眾對(duì)光刻機(jī)研制難度和挑戰(zhàn)的關(guān)注。
光刻機(jī)的工作原理和歷史演進(jìn)
當(dāng)今社會(huì)生活中，集成電路幾乎無(wú)處不在，小到身份證、手機(jī)，大到高鐵、飛機(jī)，都離不開(kāi)集成電路。集成電路自誕生至今，一直向著微細(xì)化的方向發(fā)展，單個(gè)芯片上的晶體管數(shù)量已經(jīng)由初的幾十個(gè)發(fā)展到現(xiàn)在的幾千億個(gè)。
集成電路制造的核心工序是利用光刻機(jī)在硅片上構(gòu)建電路圖案。光刻過(guò)程決定了集成電路芯片上電子元件的尺寸和位置。從1961年至今，為了滿足集成電路制造的需求，人們研發(fā)出了多種類(lèi)型的光刻機(jī)。
按照曝光方式來(lái)分，光刻機(jī)可以分為接觸式、接近式和投影式。接觸式和接近式光刻機(jī)的極限分辨率均停留在微米量級(jí)，難以滿足日益減小的芯片特征尺寸的需求。投影式光刻機(jī)是目前的主流光刻機(jī)，當(dāng)今先進(jìn)的極紫外（EUV）光刻機(jī)就屬于投影式光刻機(jī)。
投影式光刻機(jī)由多個(gè)分系統(tǒng)組成，包括光源、照明系統(tǒng)、投影物鏡系統(tǒng)、掩模臺(tái)與掩模傳輸系統(tǒng)、工件臺(tái)與硅片傳輸系統(tǒng)、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)、環(huán)境控制系統(tǒng)等。
這類(lèi)光刻機(jī)本質(zhì)上是一種復(fù)雜的投影系統(tǒng)：光源通過(guò)照明系統(tǒng)均勻照明放置在掩模臺(tái)上的掩模版，掩模版上制作有預(yù)先設(shè)計(jì)好的集成電路圖案，該圖案通過(guò)投影物鏡系統(tǒng)投影到工件臺(tái)上涂有光刻膠的硅片，完成一次曝光。之后，工件臺(tái)移動(dòng)硅片，再進(jìn)行另一次曝光。
提高光刻分辨率是光刻機(jī)演進(jìn)的主線，極大地推動(dòng)了集成電路制程節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步。研究人員通過(guò)采用更短波長(zhǎng)的光源來(lái)提高投影式光刻機(jī)的分辨率，依次發(fā)展出了紫外（UV）光刻機(jī)、深紫外（DUV）光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)。
UV光刻機(jī)早采用波長(zhǎng)為436nm的高壓汞燈光源，隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，光源波長(zhǎng)縮短至365nm，可以支持250nm以上制程節(jié)點(diǎn)的芯片生產(chǎn)。
之后，光刻技術(shù)開(kāi)始向DUV波段光源發(fā)展：1995年，日本Nikon公司首次采用了248nm波長(zhǎng)的氟化氪（KrF）準(zhǔn)分子激光器作為光刻機(jī)光源，該類(lèi)光刻機(jī)將制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到180—130nm；到了1999年，Nikon、ASML和Canon等主要光刻設(shè)備制造商推出了采用193nm波長(zhǎng)的氟化氬（ArF）準(zhǔn)分子激光器作為光源的光刻機(jī)，這使得制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)一步縮小至130—65nm。
在193nm光源作為主流光刻機(jī)光源的很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，各光刻設(shè)備制造商主要通過(guò)增大投影物鏡的數(shù)值孔徑（NA）來(lái)提高光刻分辨率，NA高達(dá)到了0.93。
直到2004年，ASML推出了首款商用浸沒(méi)式光刻機(jī)，該光刻機(jī)的技術(shù)創(chuàng)新是在鏡頭與硅片之間引入去離子水作為介質(zhì)，使得投影物鏡的NA高達(dá)到1.35，再結(jié)合多重圖形等技術(shù)可實(shí)現(xiàn)7nm的制程節(jié)點(diǎn)。
為了進(jìn)一步減小光源波長(zhǎng)，提高光刻分辨率，經(jīng)過(guò)30年左右的研發(fā)，光源波長(zhǎng)為13.5nm的EUV光刻機(jī)終于在2017年投入工業(yè)化生產(chǎn)，標(biāo)志著光刻技術(shù)的又一重大突破。目前，僅有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)，該類(lèi)光刻機(jī)高能夠支持2nm的制程節(jié)點(diǎn)。
光刻技術(shù)研發(fā)的難點(diǎn)與挑戰(zhàn)
光刻機(jī)，被譽(yù)為集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上的“皇冠上的明珠”，是人類(lèi)迄今為止所能制造的精密裝備之一，其研發(fā)過(guò)程不僅技術(shù)難度極高，還面臨著多方面的挑戰(zhàn)。技術(shù)方面，光刻機(jī)涉及光學(xué)、材料科學(xué)、機(jī)械工程等多領(lǐng)域尖端科技，需跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新。
合作方面，因技術(shù)復(fù)雜，需多領(lǐng)域科研機(jī)構(gòu)與企業(yè)緊密合作，共同解決難題，并建立有效溝通協(xié)作機(jī)制。資金方面，從研發(fā)到生產(chǎn)，光刻機(jī)項(xiàng)目需長(zhǎng)期巨額投入。
以EUV光刻機(jī)為例，從EUV光刻技術(shù)提出到正式投入工業(yè)化生產(chǎn)，研究人員花費(fèi)了30年左右的時(shí)間。20世紀(jì)80年代人們開(kāi)始探索EUV光刻技術(shù)，并在80年代末首次驗(yàn)證了這項(xiàng)技術(shù)的可行性。
但由于高昂的經(jīng)濟(jì)以及時(shí)間成本，只有ASML與其合作伙伴繼續(xù)致力于開(kāi)發(fā)可用于工業(yè)化量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)。
2010年，ASML交付了第一臺(tái)EUV光刻機(jī)原型機(jī)。從2012年至2016年，ASML先后完成了對(duì)先進(jìn)光源制造商Cymer、電子束計(jì)量工具領(lǐng)先供應(yīng)商HMI等高科技企業(yè)的收購(gòu)，并于2017年交付了第一臺(tái)可用于工業(yè)化量產(chǎn)的EUV光刻機(jī)NXE：3400。
目前，ASML持續(xù)與ZEISS、IMEC、Intel等多家先進(jìn)科技企業(yè)以及全球超過(guò)180所高校、科研機(jī)構(gòu)合作推進(jìn)光刻技術(shù)的發(fā)展。
據(jù)2023年ASML的財(cái)務(wù)年報(bào)，該公司在研發(fā)方面的投資從2022年的33億歐元增至2023年的40億歐元。在過(guò)去的17年中，該公司僅在EUV光刻方向的研發(fā)投資就超過(guò)了60億歐元。
光源是光刻機(jī)的核心部件之一。光刻機(jī)對(duì)光源的工作波長(zhǎng)、功率、轉(zhuǎn)換效率以及壽命等參數(shù)均有著嚴(yán)格的要求。
以目前唯一商用的EUV光刻機(jī)為例，該光刻機(jī)采用激光等離子體（LPP）光源，為了獲得高轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)壽命，需要在光源內(nèi)部進(jìn)行極其精確的激光打靶：液滴發(fā)生器產(chǎn)生直徑20—30μm的錫液滴，其運(yùn)動(dòng)速度可達(dá)到80m/s，相當(dāng)于復(fù)興號(hào)高鐵的速度；先利用一束預(yù)脈沖激光將高速運(yùn)動(dòng)的錫液滴打成餅狀的靶材。
然后再利用另一束主脈沖激光轟擊靶材，將靶材轉(zhuǎn)化為等離子體的同時(shí)放射出EUV光，這一雙脈沖的打靶過(guò)程需要在百萬(wàn)分之幾秒內(nèi)完美地配合完成。
因此，需要一套精準(zhǔn)的測(cè)量及控制系統(tǒng)，能夠進(jìn)行高速、高精度的測(cè)量與打靶控制，方可滿足工業(yè)化量產(chǎn)的需求。
光刻機(jī)的投影物鏡系統(tǒng)是成像光學(xué)的高境界，其波像差需要達(dá)到納米甚至亞納米量級(jí)，這對(duì)投影物鏡的鏡片級(jí)加工與檢測(cè)，以及系統(tǒng)級(jí)的檢測(cè)與裝調(diào)等都提出了嚴(yán)苛的要求。
以EUV光刻機(jī)為例，為確保成像性能，投影物鏡的鏡面必須以極高的精度進(jìn)行加工：在ASML公司先進(jìn)的高NA EUV光刻投影物鏡系統(tǒng)中，口徑1.2m的反射鏡表面需要加工到面形均方根誤差小于0.02nm，相當(dāng)于在中國(guó)國(guó)土面積內(nèi)僅有人類(lèi)頭發(fā)絲直徑大小的高度起伏。
光刻機(jī)的機(jī)械系統(tǒng)設(shè)計(jì)巧妙地融合了穩(wěn)定性與高效能的雙重需求。以EUV光刻機(jī)為例，工件臺(tái)的運(yùn)動(dòng)速度可達(dá)5m/s，并且工件臺(tái)和掩模臺(tái)需要高速同步運(yùn)動(dòng)，同步運(yùn)動(dòng)誤差的平均值需要小于0.5nm，相當(dāng)于兩架以時(shí)速1000km飛行的飛機(jī)，相對(duì)位置偏差的平均值控制在0.03μm（人類(lèi)頭發(fā)絲直徑的幾千分之一）以內(nèi)。工件臺(tái)還需具備驚人的加速度——達(dá)到7倍重力加速度（7g），這一性能確保了硅片能在極短時(shí)間內(nèi)迅速定位至預(yù)定位置。
掩模版作為光刻系統(tǒng)圖像信息的來(lái)源，其制備過(guò)程中形成的臟污、刮傷、圖形異常等缺陷均會(huì)改變掩模的光學(xué)特性，從而影響成像質(zhì)量，降低芯片成品率。由于光刻掩模版制備要求高、工藝難度大且需要根據(jù)光刻技術(shù)的發(fā)展而更迭，長(zhǎng)期的技術(shù)積累與充足的研發(fā)資金均不可或缺。
國(guó)際領(lǐng)先的掩模版制造商Toppan一直致力于掩模版業(yè)務(wù)，其于2005年收購(gòu)了杜邦光掩模公司，并于同年開(kāi)始與IBM、格羅方德半導(dǎo)體、三星聯(lián)合開(kāi)發(fā)高端掩模版技術(shù)，從初的45nm制程節(jié)點(diǎn)發(fā)展至目前的2nm制程節(jié)點(diǎn)。
涂覆于硅片上的光刻膠與電子器件的性能和良品率直接相關(guān)，也是隨著光刻技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展的。在從DUV光刻向EUV光刻過(guò)渡的過(guò)程中，研究人員遇到了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，即在相同條件下，光刻膠吸收的EUV光子數(shù)量?jī)H為DUV193nm波長(zhǎng)的1/14。
這就要求要么在EUV波段創(chuàng)造出極強(qiáng)的光源，要么發(fā)明更靈敏的光刻膠。
考慮到進(jìn)一步提高EUV光源的功率極具挑戰(zhàn)性，為彌補(bǔ)光刻膠對(duì)EUV光子的低吸收率，EUV光刻膠需要具有不同于前幾代光刻膠的獨(dú)特性能。
經(jīng)過(guò)JSR、Inpria、LamResearch等EUV光刻膠領(lǐng)先供應(yīng)商的多年持續(xù)研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了EUV光刻膠靈敏度與分辨率的突破，方使得EUV光刻在2018年進(jìn)入7nm及以下制程節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)。
光刻技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
目前，先進(jìn)的EUV光刻技術(shù)已被應(yīng)用于2nm制程節(jié)點(diǎn)的芯片量產(chǎn)，并且仍在持續(xù)優(yōu)化中。為了不斷逼近EUV光刻技術(shù)的理論分辨率極限，并確保光刻機(jī)具備可靠的系統(tǒng)性能，還需要繼續(xù)深入研究如何有效管理提高光源功率所帶來(lái)的熱效應(yīng)，同時(shí)開(kāi)發(fā)邊緣粗糙度更低且能保證特征尺寸精確控制與良好附著力的EUV光刻膠。
此外，減少光源內(nèi)部的碎片污染以延長(zhǎng)收集鏡的使用壽命，以及降低曝光過(guò)程中污染物附著在掩模上的概率，也是當(dāng)前重要的研究課題。
在EUV光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的同時(shí)，許多研發(fā)機(jī)構(gòu)也在嘗試研發(fā)納米壓印以及定向自組裝（DSA）等成本相對(duì)較低的下一代光刻技術(shù)。針對(duì)這些新興的光刻技術(shù)，需要重點(diǎn)研究新型材料的集成應(yīng)用、立體圖形化工藝的開(kāi)發(fā)，以及以實(shí)際應(yīng)用需求為導(dǎo)向的圖形設(shè)計(jì)。
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