3月4日消息，臺積電董事長魏哲家今天宣布，臺積電將對美國追加投資至少1000億美元，用于興建3座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠等設(shè)施。
半導(dǎo)體分析師陸行之發(fā)文指出，臺積電此次投資1000億美元，相當(dāng)于“買到4年的免死金牌”。
加上之前未完全使用的650億美元投資，臺積電未來每年至少需在美投資超過300億美元，若維持35%的資本密集度，美國廠的資本開支將超過中國臺灣廠。
陸行之還表示，臺積電的這一舉措可能會改變其先進(jìn)制程研發(fā)留在中國臺灣的計劃，他指出，全球高端半導(dǎo)體漲價趨勢已確立，未來電子和AI算力產(chǎn)品將越來越貴。
陸行之進(jìn)一步分析，如果臺積電都選擇在美國投資，那么其他國家的半導(dǎo)體大廠也可能被迫追加投資或使用臺積電美國廠的晶圓代工制造來避稅。
此外他還提到，未來4年之后，美國制造的趨勢難以逆轉(zhuǎn)，美國當(dāng)?shù)乜萍茧娮赢a(chǎn)品通貨膨脹難以降低。
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